Компания Toshiba рассказала о разработке технологического процесса TarfSOI (Toshiba advanced RF SOI) нового поколения. Техпроцесс TaRF8 оптимизирован для изготовления микросхем с функцией коммутации радиочастотных сигналов. По утверждению производителя, коммутаторы, изготовленные по новому техпроцессу, характеризуются минимальными в своем классе вносимыми потерями.
Говоря более конкретно, вносимые потери в случае изделий, изготовленных по техпроцессу TaRF8, составляют 0,32 дБ на частоте 2,7 ГГц. По сравнению с изделиями, изготавливаемыми с использованием техпроцесса Toshiba TaRF6, значение вносимых потерь улучшено на 0,1 дБ при неизменном уровне искажений.
Поставки ознакомительных образцов интегральных радиочастотных коммутаторов SP12T, изготовленных по новому технологическому процессу, начнутся в январе 2016 года. Эти однополюсные 12-позиционные коммутаторы со встроенным контроллером MIPI-RFFE предназначены для смартфонов. Их можно использовать в устройствах, поддерживающих 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE и LTE-Advanced.
Источник: Toshiba