Пример записи карты программирования SPD для 64 MB-модуля (32Mx16) и 64MB ЕСС-модуля (32Mx18), 184pin PC600/PC800 DRDRAM RIMM с градациями (время доступа к строке, tRAC) -40/-45/-50/-53


Пример карты программирования SPD для DRDRAM DIMM
Байт Назначение Опция Entry HEX
0 Номер текущей версии SPD N/A 2 02
1 Общее количество байт информации в микросхеме SPD N/A 256 08
2 Тип используемых микросхем памяти N/A DRDRAM 01
3 Тип используемого модуля памяти N/A RIMM 01
4 Количество адресных бит стоки и столбца каждой микросхемы N/A 9, 6 96
5 Количество адресных бит на банк и тип используемых банков N/A 16d, 4bit 84
6 Количество одновременно регенерируемых банков микросхемы N/A 4 04
7 Длительность периода регенерации микросхем памяти в ms N/A 32 20
8 Используемая версия протокола RDRAM N/A 2 02
9 Поле конфигурации использования устройств смешанного типа -LP
no -LP
1 tSCK 03
01
10 Минимальный интервал "Precharge-to-RAS" -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
8cycles
8cycles
10cycles
6cycles
8cycles
08
08
0A
06
06
11 Минимальный интервал "RAS-to-Precharge" -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
20cycles
20cycles
24cycles
16cycles
20cycles
14
14
18
10
14
12 Минимальный интервал "Activate-to-CAS" -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
8cycles
10cycles
12cycles
6cycles
6cycles
08
0A
0C
06
06
13 Минимальный интервал "RAS-to-RAS" -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles
08
08
08
08
08
14 Минимальный интервал "Precharge-to-Precharge" -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles
08
08
08
08
08
15 Минимальная длительность tCYCLE для диапазона А -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
2.43ns
2.43ns
2.43ns
3.33ns
3.33ns
13
13
13
1A
1A
16 Максимальная длительность tCYCLE для диапазона А -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
3.45ns
3.45ns
3.45ns
3.71ns
3.71ns
1B
1B
1B
1E
1E
17 Диапазон значений tCDLY для диапазона А -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
5-9
5-9
5-9
4-8
4-8
59
59
59
48
48
18 Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона А -40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600
tCLS=2
tCAS=2
AA
AA
AA
AA
AA
19 Минимальная длительность tCYCLE для диапазона B N/A 0 00
20 Максимальная длительность tCYCLE для диапазона B N/A 0 00
21 Диапазон значений tCDLY для диапазона B N/A 0 00
22 Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона B N/A 0 00
23 Минимальная длительность tCYCLE для диапазона C N/A 0 00
24 Максимальная длительность tCYCLE для диапазона C N/A 0 00
25 Диапазон значений tCDLY для диапазона C N/A 0 00
26 Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона C N/A 0 00
27 Минимальная длительность tCYCLE для диапазона D N/A 0 00
28 Максимальная длительность tCYCLE для диапазона D N/A 0 00
29 Диапазон значений tCDLY для диапазона D N/A 0 00
30 Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона D N/A 0 00
31 Максимальное время выхода из деактивации (PDN) в фазе А N/A 4µs 04
32 Максимальное время выхода из деактивации (PDN) в фазе B N/A 9000cycles 8D
33 Максимальное время выхода из "дремоты" (NAP) в фазе А N/A 50ns 32
34 Максимальное время выхода из "дремоты" (NAP) в фазе B N/A 40ns 28
35 Максимальная и минимальная частоты функционирования микросхем (400MHz = 190h, 300MHz = 12Ch, 266MHz=10Ah) -800
-600
1, 1
1, 1
11
11
36 Максимальная частота функционирования микросхем памяти -800
-600
2C
0A
2C
0A
37 Минимальная частота функционирования микросхем памяти -800
-600
90
2C
90
2C
38 Зарезервировано по возможности ODF (OverDrive Factor) N/A N/A 00
39 Максимальный интервал между операциями калибровки N/A 100ms 64
40 Максимальный интервал между калибровкой температуры N/A 100ms 64
41 Минимальный интервал динамики формирования команды проведения температурной калибровки N/A 150tCYCLE 96
42 Максимальный интервал "RAS-to-Precharge" N/A 64µs 40
43 Максимальное время пребывания микросхемы в режиме NAP N/A 10µs 0A
44 Описание тамингов ACTREFPT и PCHREFPT N/A 6, 6 tCYCLE 66
45 Описание тамингов CPCHREFPT_DC и RDREFPT_DC N/A 5, 5 tCYCLE 55
46 Описание тамингов RETREFPT_DC и WRREFPT_DC N/A 5, 13 tCYCLE 5D
47-49 Зарезервировано N/A   00
50 Частота подачи строба доступа к строке (400MHz = 190h, 300MHz = 12Ch, 266MHz=10Ah), начало -800
-600
01
01
01
01
51 Частота подачи строба доступа к строке, продолжение -800
-600
90
2C
90
2C
52 Максимальная мощность на fMAX, fMIN и максимальное значение температуры микросхем, установленных на модуле памяти -800
-600
0, 0, 100-64
0, 0, 100-64
24
24
53 Наличие на модуле радиатора, температурного сенсора и температура на нем, когда Tj максимально -800
-600
1, 100-64
1, 100-64
A4
A4
54 Потребляемый ток в состоянии STBY на максимальной частоте (fIMAX) -800
-600
101
90
65
5A
55 Потребляемый ток при средней нагрузке на максимальной частоте -800
-600
148/2
125/2
4A
3F
56 Потребляемый ток при максимальной нагрузке на fIMAX -800
-600
635/6
510/8
4F
3F
57 Потребляемый ток в состоянии STBY на минимальной частоте (fIMIN) -800
-600
90
85
5A
55
58 Потребляемый ток при средней нагрузке на минимальной частоте -800
-600
125/2
115/2
3E
39
59 Потребляемый ток при максимальной нагрузке на fIMIN -800
-600
510/8
465/8
3F
3A
60 Потребляемый ток в режиме "дремоты" -800
-600
4.2/0.128
4.2/0.128
20
20
61 Зарезервировано для будущего параметра термоконтроля N/A N/A 00
62 Зарезервировано для будущего параметра термоконтроля N/A N/A 00
63 Контрольная сумма байт 0-62 N/A Checksum kk
64 Код производителя модуля памяти, согласно JEP106 N/A Micron 2C
65-71 Идентификационный код JEDEC по JEP106 (продолжение) N/A N/A 00
72 Информация о производителе модуля N/A N/A 00
73-90 Уникальный номер производителя модуля N/A N/A 00
91-92 Код ревизии производителя модуля N/A N/A 00
93 Год изготовления модуля N/A N/A 00
94 Неделя изготовления модуля N/A N/A 00
95-98 Серийный номер модуля N/A N/A 00
99 Количество используемых микросхем памяти на модуле N/A 8 08
100 Ширина шины данных модуля памяти x16
x18
16bit
18bit
10
12
101
102
103
104
Уникальное управление микросхемами памяти, разрешающее их программирование в цикле инициализации N/A All 8 devices Enable FF
00
00
00
105 Напряжение питания и интерфейс питающего напряжения N/A 2.5V, 1.8V 10
106 Допустимое отклонение напряжения питания N/A 5% DC
2% AC
52
107-113 Зарезервировано N/A N/A 00
114 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=3 N/A N/A 00
115 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=4 N/A 2/0 20
116 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=5 N/A 3/0 30
117 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=6 N/A 3/1 31
118 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=7 N/A 3/2 32
119 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=8 N/A 4/2 42
120 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=9 N/A 5/2 52
121 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=10 N/A N/A 00
122 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=11 N/A N/A 00
123 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=12 N/A N/A 00
124 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=13 N/A N/A 00
125 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=14 N/A N/A 00
126 Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=15 N/A N/A 00
127 Контрольная сумма байт 99-126 N/A Checksum pp
Примечание: Значение контрольной суммы (сс/pp, байты 63/127) вычисляется по приводимому ранее алгоритму.

Вернуться к статье





Дополнительно

ВИКТОРИНА SAMSUNG

Какова была диагональ первого чёрно-белого телевизора, выпущенного компанией Samsung?