| Пример карты программирования SPD для ESDRAM DIMM |
| Байт |
Наименование |
Значение |
HEX |
| 0 |
Общий объем текущей информации, записанной в EEPROM |
128Byte |
80 |
| 1 |
Общее количество байт информации в микросхеме SPD |
256Byte |
08 |
| 2 |
Фундаментальный тип используемой памяти |
SDRAM |
04 |
| 3 |
Общее количество адресных линий строки модуля |
11 |
0B |
| 4 |
Общее количество адресных линий столбца модуля |
9 |
09 |
| 5 |
Общее количество физических банков модуля памяти |
2 |
02 |
| 6 |
Внешняя шина данных модуля памяти |
64bit |
40 |
| 7 |
Внешняя шина данных модуля памяти (продолжение) |
N/A |
00 |
| 8 |
Питающий интерфейс |
LVTTL |
01 |
| 9 |
Временной цикл с максимальной задержкой сигнала CAS# |
|
|
|
| 10 |
Длительность задержки данных на выходе модуля с учетом CL=Х |
|
|
|
| 11 |
Интерфейс модуля (None/Parity/ECC...) |
Non-Parity |
00 |
| 12 |
Тип и способ регенерации данных |
SR/2x(31.25 µs) |
83 |
| 13 |
Тип организации используемых микросхем памяти |
x8 |
08 |
| 14 |
Ширина шины данных ЕСС модуля |
N/A |
00 |
| 15 |
Минимальная задержка произвольного доступа к столбцу |
1CLK |
01 |
| 16 |
Длительность передаваемых пакетов (BL) |
1, 2, 4, 8, Full Page |
8F |
| 17 |
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле |
2 |
02 |
| 18 |
Поддерживаемые длительности задержки сигнала CAS# (CL) |
1, 2, 3 |
07 |
| 19 |
Задержка выдачи сигналов выбора кристалла CS# |
0 |
01 |
| 20 |
Задержка выдачи сигнала разрешения записи WE# |
0 |
01 |
| 21 |
Специфические атрибуты модуля памяти |
Unbuffered |
00 |
| 22 |
Атрибуты общего порядка микросхемы памяти |
Early RAS, Prcg, All, ±10% VDD |
07 |
| 23 |
Минимальный цикл CLX-1 |
|
|
|
| 24 |
Максимальное время доступа к данным с циклом CLX-1 |
|
|
|
| 25 |
Минимальный цикл CLX-2 |
|
|
|
| 26 |
Максимальное время доступа к данным с циклом CLX-2 |
|
|
|
| 27 |
Минимальное время регенерации данных в странице |
|
|
|
| 28 |
Минимальная задержка между активизацией соседних строк |
|
|
|
| 29 |
Минимальная задержка RAS-to-CAS |
|
|
|
| 30 |
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# |
|
|
|
| 31 |
Емкость одного физического банка модуля памяти |
16MB |
04 |
| 32 |
Время установки адресов и команд перед подачей синхроимпульса |
2.0ns |
20 |
| 33 |
Время ожидания на входе после подачи синхроимпульса |
1.0ns |
10 |
| 34 |
Время установки данных на входе перед подачей синхроимпульса |
2.0ns |
20 |
| 35 |
Время ожидания данных на входе после подачи синхроимпульса |
1.0ns |
10 |
| 36-59 |
Зарезервировано по JEDEC JC42.5-97-119 |
N/A |
00 |
| 60 |
Специфические атрибуты микросхемы ESDRAM |
Support CL1 |
02 |
| 61 |
Дополнительная информация о микросхеме ESDRAM |
ESDRAM |
01 |
| 62 |
Номер текущей версии SPD |
1.2 |
12 |
| 63 |
Контрольная сумма байт 0-62 |
Checksum |
cc |
| 64 |
Идентификационный код производителя по JEP106 |
EMS |
7F |
| 65 |
Идентификационный код JEDEC по JEP106 (продолжение) |
EMS |
32 |
| 66-71 |
Идентификационный код JEDEC по JEP106 (продолжение) |
EMS |
FF |
| 72 |
Информация о производителе модуля |
N/A |
00 |
| 73-90 |
Уникальный номер производителя модуля |
N/A |
00 |
| 91-92 |
Код ревизии (версии) модуля |
N/A |
00 |
| 93-94 |
Дата производства модуля |
N/A |
00 |
| 95-98 |
Основной серийный номер модуля |
N/A |
00 |
| 99-125 |
Специфические данные производителя модуля |
N/A |
00 |
| 126 |
Фактическая рабочая частота модуля |
100MHz |
64 |
| 127 |
Атрибуты поддержки частоты функционирования модуля |
ALL |
FF |
| 128-255 |
Пустые байты для необходимой дополнительной информации |
N/A |
00 |
Максим Лень
