Китайская память выходит на новый уровень: CXMT приблизилась к созданию HBM3E для ИИ

Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), известная как крупнейший в стране производитель DRAM, сделала заметный шаг вперёд в сегменте высокопроизводительной памяти. Как сообщает The Information, производитель начал мелкосерийный выпуск HBM3E — одного из самых передовых типов памяти для ускорителей ИИ.

Речь идёт о технологии высокоскоростной памяти, которая используется в современных ускорителях вроде решений для машинного обучения и дата-центров. В последние годы именно HBM стала узким местом индустрии: спрос на неё резко вырос на фоне бума искусственного интеллекта, а предложение ограничено.

До сих пор рынок HBM фактически контролировали три игрока — Samsung, SK hynix и Micron. Китайские компании отставали на несколько поколений, но теперь ситуация начинает меняться. CXMT, ранее сосредоточенная на DDR4/DDR5 и мобильной памяти LPDDR, впервые приблизилась к сегменту, который считается технологически наиболее сложным.

Сообщается, что текущие объёмы производства HBM3E пока невелики, однако уже сам факт запуска линии означает, что Китай смог частично обойти ограничения на поставки оборудования и технологий. В перспективе компания рассчитывает нарастить выпуск уже к 2027 году.

Эксперты отмечают, что даже при успешном освоении HBM3E китайский производитель пока будет уступать лидерам по качеству и масштабам производства. Тем не менее сам выход в этот сегмент способен изменить расстановку сил: рынок памяти остаётся одним из ключевых в эпоху ИИ, а спрос на HBM только растёт.

В долгосрочной перспективе это может снизить зависимость китайских технологических гигантов от зарубежных поставщиков и усилить конкуренцию на глобальном рынке. CXMT уже входит в число крупнейших производителей DRAM и демонстрирует стремительный рост выручки на фоне дефицита памяти, вызванного развитием ИИ-инфраструктуры.

Источник: The Information