Китайские исследователи разработали полупроводниковую память с рекордной скоростью записи

Команда исследователей из Фуданьского университета представила полупроводниковую память нового поколения под названием «PoX» (破晓 — «Рассвет»), обладающую рекордной скоростью записи и стирания — всего 400 пикосекунд. Это существенно превосходит показатели традиционной флеш-памяти, для которой характерны задержки порядка 100 микросекунд.

Разработка опубликована в журнале Nature от 16 апреля 2025 года. Исследования велись лабораторией интегральных чипов университета под руководством профессоров Чжоу Пэна и Лю Чуньсэня. Ключевым достижением стала реализация эффекта сверхинжекции — предсказанного учёными механизма, позволяющего электронам быстро проникать в область хранения заряда без предварительного «разгона».

В основе технологии лежит усовершенствованная архитектура флеш-памяти, адаптированная с использованием методов квазидвумерного Поассоновского моделирования. Это позволило достичь скорости операций до 2,5 миллиарда в секунду, что превосходит даже современные чипы SRAM. Авторы исследования предполагают, что такая производительность может привести к сближению понятий «оперативная память» и «постоянное хранилище».

Прототип «PoX» реализован в виде тестового чипа объёмом 1 килобит, совместимого с технологическим процессом CMOS. В ближайшие 3-5 лет разработчики планируют увеличить объём до десятков мегабит, что потенциально позволит переосмыслить архитектуру хранения данных с учётом потребностей ИИ, облачных вычислений и сетей связи нового поколения.

Исследование поддержано рядом государственных и региональных научных программ КНР, включая фонд перспективных исследований и программу «Звезда Шанхая». В состав авторского коллектива вошли аспиранты и молодые исследователи университета. Коммуникацию с изданием вели профессора Лю Чуньсэнь и Чжоу Пэн.

Источник: https://www.fudan.edu.cn