Hynix Semiconductor и Numonyx B.V. сегодня сообщили о том, что ими подписано долгосрочное соглашение о совместной разработке продукции на базе флэш-памяти для быстрорастущего рынка устройств на базе флэш-памяти NAND.
По замыслу компаний Hynix и Numonyx и условиям соглашения между ними, обе они расширят сферу их совместных усилий в области развития передовых технологий производства памяти NAND и продуктов на ее основе. Также планируется объединить ресурсы обеих компаний для ускорения развития новых технологий и внедрения их в производство.
Кроме совместной работы по разработке технологий и производству флэш-продукции, компании Hynix и Numonyx по соглашению будут сотрудничать в области разработки DRAM-памяти для мобильных телефонов.
Необходимость совместной работы двух компаний вызвана, как сообщается, тем, что технология производства NAND-памяти становится все более сложной, и переходом к более мелкой литографии узлов. Ожидается, что техника Charge-Trap Device NAND вскоре придет на замену используемой сегодня технологии Floating Gate NAND, а для этого может пригодиться опыт накопленный специалистами Numonyx при работе с памятью типа NOR.
Источник: Hynix Semiconductor