Главная » Новости » 2015 » 02 » 23 23 февраля 2015

Представлена память Spansion HyperRAM

Компания Spansion представила первую микросхему оперативной памяти с произвольным доступом, оснащенную интерфейсом HyperBus. Память Spansion HyperRAM позиционируется как компаньон памяти HyperFlash с интерфейсом HyperBus. Использование одной и той же шины позволяет упростить проектирование и снизить стоимость решений, включающих однокристальные системы и микроконтроллеры, обращающиеся к флэш-памяти и оперативной памяти по 12-контактному интерфейсу HyperBus. Пропускная способность HyperBus в режиме чтения равна 333 МБ/с, что положительно сказывается на производительности устройств.

Память Spansion HyperRAM работает на частотах до 166 МГц в режиме DDR. Время произвольного доступа составляет 36 нс.

В числе областей применения Spansion HyperRAM названы автомобильные бортовые системы, включая инструментальные, навигационные и информационно-развлекательные, а также системы помощи водителю, цифровые камеры, проекторы, средства промышленной автоматики, медицинское оборудование, бытовые приборы, карманные электронные устройства и устройства интернета вещей.

Ознакомительные образцы микросхем памяти Spansion HyperRAM объемом 64 Мбит будут доступны, начиная со следующего квартала. Производитель рассчитывает предложить модификации, рассчитанные на напряжение питания 3 и 1,8 В. Для внешнего оформления выбраны корпуса типа BGA размерами 5 х 5 мм. Микросхемы Spansion HyperFlash тоже доступны в вариантах с напряжением питания 3 и 1,8 В. Объем микросхем Spansion HyperFlash — 128, 256 и 512 Мбит. Они выпускаются в корпусах типа BGA размерами 8 х 6 мм.

Источник: Spansion

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2015

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.