Главная » Новости » 2015 » 01 » 23 23 января 2015

Tezzaron называет срок начала серийного выпуска памяти ReRAM

Одной из перспективных технологий энергонезависимой памяти является резистивная память с произвольным доступом (Resistive RAM, ReRAM). По прогнозу SanDisk, память ReRAM придет на смену флэш-памяти до конца десятилетия. В этот прогноз вполне укладываются планы компании Tezzaron Semiconductor, объявившей вчера о подписании лицензионного соглашения с компанией Rambus. Соглашение дает Tezzaron возможность использовать технологию ReRAM, разработанную Rambus, для выпуска серийной продукции. Говоря более конкретно, Tezzaron получает доступ к IP-ядрам, спецификациям и тестовым наборам, необходимым для разработки различных чипов ReRAM. Предполагается, что новые микросхемы памяти Tezzaron найдут применение в военной, аэрокосмической и других отраслях.

В Tezzaron планируют использовать технологию ReRAM в микросхемах памяти с объемной компоновкой, пригодных для выпуска накопителей. Кроме того, намечена интеграция ReRAM в однокристальные системы, FPGA и процессоры. Выпуск этой продукции должен быть освоен на дочернем предприятии Tezzaron, Novati Technologies. Как утверждается, используя ReRAM, производитель рассчитывает добавить «сотни мегабайт памяти в логические схемы, изготавливаемые на обычной фабрике».

К преимуществам ReRAM относится малое энергопотребление, высокая производительность и надежность.

Специалисты Tezzaron уже приступили к разработке первых микросхем ReRAM. Начало серийного выпуска этой продукции запланировано на 2016 год.

Источник: Rambus

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2015

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.