Главная » Новости » 2014 » 12 » 16 16 декабря 2014

Специалисты Crossbar устранили одно из основных препятствий на пути к серийному выпуску энергонезависимой памяти 3D RRAM

Специалисты компании Crossbar сделали очередной шаг к серийному выпуску микросхем резистивной памяти с объемной компоновкой (3D RRAM), которые, по словам разработчика, смогут иметь терабайтный объем при площади с почтовую марку.

В ходе мероприятия IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) в Сан-Франциско представители компании рассказали о подходе, позволяющем подавить паразитный ток, мешающий уверенно считывать данные из отдельных ячеек памяти. Таким образом, устраняется одно из основных препятствий на пути к серийному выпуску RRAM.

Данных о том, когда чудо-память Crossbar появится на рынке, пока нет

В памяти используется запатентованная структура 1TnR, в которой один транзистор работает с большим числом ячеек памяти, за счет чего обеспечивается высокая плотность хранения. По данным разработчика, 1TnR позволяет одному транзистору питать более 2 000 ячеек, но при этом снижается производительность и надежность по сравнению с обычным массивом RRAM. Исправить положение позволяет управляемый полем сверхлинейный прибор для выбора порога срабатывания, в котором проводящий путь формируется при пороговом напряжении. Как утверждается, это первый прибор такого типа, способный подавлять ток утечки менее 0,1 нА. Его работоспособность успешно продемонстрирована в массиве ячеек 3D RRAM плотностью 4 Мбит.

Данных о том, когда чудо-память появится на рынке, пока нет.

Источник: Crossbar

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2014

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.