Главная » Новости » 2014 » 11 » 12 12 ноября 2014

Энергонезависимая резистивная память Adesto RM25UL работает при напряжении 1,2 В

Компания Adesto Technologies, специализирующаяся на разработке памяти со сверхмалым энергопотреблением, представила энергонезависимую память с последовательным интерфейсом, работающую при напряжении всего 1,2 В.

Сам производитель называет память RM25UL прорывом, обеспеченным использованием фирменной технологии CBRAM. Память типа CBRAM годится для разных приложений, ее энергопотребление может быть в 100 меньше, чем у современной памяти, без ущерба для производительности и надежности.

Низкое напряжение питания, очень малый ток записи и чтения — все это делает новую память особенно подходящей для электроники интернета вещей, в которой используются беспроводные интерфейсы с малым энергопотреблением, включая Bluetooth LE. Если сравнивать RM25UL с существующей памятью, требования к напряжению питания у RM25UL на 35% ниже. По сути, RM25UL формирует новую категорию памяти со сверхмалым энергопотреблением.

Технология CBRAM открывает новые горизонты электроники интернета вещей

Отметим, что новая технология уже опробована на практике — в июне компания Adesto отгрузила миллионную микросхему памяти CBRAM.

Одновременно анонсирована серия RM25D. Входящие в нее микросхемы полностью аналогичны микросхемам серии RM25UL, но они рассчитаны на напряжения питания в диапазоне 1,65-3,6 В, более привычные в носимой, мобильной и другой потребительской электронике. В серии RM25UL и RM25D входят микросхемы плотностью до 2 Мбит. Их ознакомительные образцы должны появиться в первом полугодии 2015 года, а позже начнется и серийный выпуск.

Источник: Adesto Technologies

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2014

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.