Главная » Новости » 2014 » 10 » 22 22 октября 2014

Samsung начинает использовать 20-нанометровую память DDR4 в модулях объемом 32 ГБ

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска по 20-нанометровой технологии компонентов DDR4 плотностью 8 Гбит и модулей памяти объемом 32 ГБ, в которых эти компоненты используются. Новые модули памяти Samsung предназначены для серверов.

Samsung начинает серийный выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 из 20-нанометровых компонентов плотностью 8 Гбит

В марте этого года компания Samsung начала серийный выпуск 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит, предназначенных для ПК, а в сентябре — серийный выпуск 20-нанометровых чипов памяти DRAM LPDDR3 плотностью 6 Гбит для мобильных устройств. Таким образом, южнокорейский производитель уже использует 20-нанометровую технологию при выпуске чипов DRAM всех основных сегментов: мобильного, ПК и серверов.

Samsung начинает серийный выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 из 20-нанометровых компонентов плотностью 8 Гбит

Модули RDIMM DDR4-2400 объемом 32 ГБ работают при напряжении 1,2 В и превосходят модули DDR3-1866 по производительности примерно на 29%. Кстати, это не наибольший объем модуля, который можно получить с новыми чипами. Используя объемную компоновку с межслойными связями (TSV), можно изготовить модуль объемом 128 ГБ.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2014

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.