Главная » Новости » 2014 » 02 » 17 17 февраля 2014

Специалистами Micron и Sony создан чип быстрой памяти ReRAM плотностью 16 Гбит

Группа специалистов компаний Micron Technology и Sony создала микросхему памяти типа ReRAM (resistive random access memory) плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 27 нм. Разработка была представлена на недавнем мероприятии ISSCC 2014.

Чип ReRAM плотностью 16 Гбит, созданный специалистами Micron и Sony, рассчитан на выпуск по нормам 27 нм

По словам разработчиков, они видят место ReRAM в нише между DRAM и NAND. Дело в том, что им удалось создать более быстродействующую память, чем память ReRAM, показанная на ISSCC 2013 компаниями SanDisk и Toshiba и позиционируемая как замена NAND. Для сравнения: микросхема SanDisk и Toshiba в режиме чтения характеризуется задержкой 40 мкс, в режиме записи — 230 мкс, тогда как у микросхемы Micron и Sony эти параметры имеют значения 2 и 10 мкс соответственно.

Справедливости ради стоит сказать, что быстродействующая память ReRAM уже была создана ранее, но ее плотность была гораздо меньше. В данном случае, образно говоря, удалось совместить скорость DRAM и плотность NAND.

Когда память появится в серийных устройствах, разработчики не говорят, но Sony уже рассматривает возможные варианты ее применения.

Источник: Tech-On!

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



Sorry, temp error.
февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2014

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.