Южнокорейский производитель объявил о разработке первой в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит. Память Samsung LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит предназначена для мобильных устройств. По словам Samsung, ее использование позволит повысить производительность мобильных устройств, улучшить отклик на действия пользователя, реализовать новые функции, повысить разрешение экранов.
Микросхема максимальной на сегодня плотности рассчитана на выпуск по техпроцессу 20-нанометрового класса. Четыре чипа плотностью 8 Гбит позволяют получить в одном корпусе объем 4 ГБ. В микросхемах используется интерфейс LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), первоначально предложенный Samsung организации JEDEC и ставший частью стандарта LPDDR4 DRAM. Он обеспечивает передачу данных со скоростью 3200 Мбит/с, что вдвое превосходит возможности серийно выпускаемой сейчас памяти LPDDR3 DRAM. Вообще же, LPDDR4 по производительности превосходит LPDDR3 и DDR3 на 50%, потребляя примерно на 40% меньше энергии, поскольку работает при напряжении 1,1 В.
Производитель отмечает, что новая память поможет ему сосредоточиться на мобильных устройствах верхнего сегмента, включая смартфоны, планшеты и ультратонкие ноутбуки с экранами Ultra HD.
Источник: Samsung Electronics