Главная » Новости » 2013 » 12 » 22 22 декабря 2013

Японскими специалистами создан резонансный туннельный диод, работающий на частоте 1,42 ТГц

Группой исследователей, работающих в Токийском технологическом институте, разработан резонансный туннельный диод, работающий на частоте 1,42 ТГц при комнатной температуре.

Резонансный туннельный диод — двухполюсник, в котором происходит туннелирование носителей заряда через потенциальную яму, ограниченную двумя энергетическими барьерами. Нелинейная вольтамперная характеристика резонансного туннельного диода имеет участок с отрицательной дифференциальной проводимостью. На базе резонансного туннельного диода может быть создан генератор, работающий на очень высокой частоте.

В данном случае, основная частота равна 1,42 ТГц. Немаловажно, что прибор работает при комнатной температуре. До лета 2012 года рекордным было значение 1,08 ТГц, а в сентябре ученым удалось достичь значения 1,31 ТГц.

В новом диоде уменьшено расстояние между энергетическими барьерами и оптимизировано расстояние между барьером и коллектором (анодом). Это помогло сократить время перехода электронов и соответственно повысить частоту. Кроме того, был сформирован вспомогательный барьер на стороне эмиттера (катода), что позволило понизить рабочее напряжение.

Источники: Tech-On!, Токийский технологический институт

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2013

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.