Главная » Новости » 2013 » 05 » 10 10 мая 2013

TSMC подтверждает намерение освоить производство по нормам 10 и 7 нм с использованием пластин диаметром 450 мм

Компания TSMC подтвердила намерение построить свою первую линию опытного производства, рассчитанную на пластины диаметром 450 мм, в 2016-2017 году. На ней предполагается выпускать продукцию по нормам 10 и 7 нм, в которой будет использоваться технология транзисторов FinFET.

Для производства 10-нанометровых чипов TSMC рассчитывает применять литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Установка соответствующего оборудования намечена на конец 2017 года.

По данным TSMC, поставщики оборудования, ранее не решавшиеся инвестировать в оборудование для работы с пластинами диаметром 450 мм, изменили свою позицию, поскольку планы отрасли по переходу на такие пластины стали более явными. Как утверждается, каждый крупный производитель выделяет на разработку оборудования для работы с пластинами диаметром 450 мм примерно 15% своего бюджета на НИОКР.

TSMC рассчитывает завершить установку большей части оборудования, необходимого для производства с использованием 450-миллиметровых пластин, к концу четвертого квартала 2015 года, и построить свою первую линию пилотного производства в 2016-2017 году. Установка оборудования для EUV и иммерсионной литографии с длиной волны 193 нм завершится к концу 2017 года. На этих мощностях предполагается освоение норм техпроцесса 10 и 7 нм.

Выпуск 20-нанометровой продукции TSMC нм рассчитывает начать в 2014 году.

Источник: DigiTimes

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2013

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.