Главная » Новости » 2013 » 04 » 11 11 апреля 2013

Samsung начинает серийный выпуск чипов памяти MLC NAND плотностью 128 Гбит по технологии 10-нанометрового класса

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска по нормам 10-нанометрового класса микросхем флэш-памяти плотностью 128 Гбит, способных хранить в каждой ячейке по три бита информации (MLC NAND). Микросхемы предназначены для использования во встроенной памяти электронных устройств и в твердотельных накопителях.

Чипы памяти MLC NAND плотностью 128 Гбит, выпускаемые Samsung по технологии 10-нанометрового класса, поддерживают скорость 400 Мбит/с

По словам производителя, достигнута не только максимальная по отрасли плотность хранения, но и максимальная скорость. Новая память поддерживает передачу данных по интерфейсу Toggle DDR2 со скоростью 400 Мбит/с.

Появление новых чипов позволит Samsung нарастить поставки карт памяти объемом 128 ГБ, а также твердотельных накопителей объемом более 500 ГБ.

Отметим, что выпуск памяти MLC NAND плотностью 64 Гбит по технологии 10-нанометрового класса южнокорейский производитель освоил всего пять месяцев назад.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2013

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.