Главная » Новости » 2013 » 04 » 07 7 апреля 2013

Память ReRAM придет на смену флэш-памяти в этом десятилетии, полагают в SanDisk

Вторая половина текущего десятилетия будет отмечена приходом нового типа энергонезависимой памяти — «резистивной памяти с произвольным доступом» (Resistive RAM, ReRAM). Во всяком случае, такого мнения придерживаются специалисты одного из крупнейших производителей флэш-памяти, компании SanDisk.

Источник приводит слова Джуди Брунер (Judy Bruner), занимающей в SanDisk посты исполнительного вице-президента и главного финансового директора, из которых следует, что речь идет о 2017-1018 годах.

К тому моменту в SanDisk рассчитывают начать использовать технологию фотолитографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

В SanDisk пока испытывают потребности в технологии EUV

По словам госпожи Брунер, пока в освоении EUV нет насущной необходимости. В ближайшие годы производитель рассчитывает начать выпускать флэш-память по существующей технологии, но с применением объемной компоновки. В SanDisk такую память называют BiCS (bit cost scalable).

Впрочем, даже переход к BiCS состоится лишь через два шага технологических норм: освоение одного из них (1Y) намечено на второе полугодие текущего года, второго (1Z) — на конец 2014 и 2015 год.

«Мы уверены, что сможем перейти к объемной памяти NAND или BiCS, не нуждаясь в EUV. Но когда мы приступим к выпуску объемной памяти ReRAM, нам потребуется EUV. Так что до того, как мы испытаем потребность в EUV, есть еще несколько лет, — цитирует источник слова топ-менеджера SanDisk. — [Это произойдет] где-то во второй половине текущего десятилетия».

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2013

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.