Главная » Новости » 2013 » 02 » 22 22 февраля 2013

Специалистами Toshiba создана встраиваемая память SRAM со сверхнизким энергопотреблением

Компания Toshiba объявила о создании встраиваемой памяти типа SRAM, характеризующейся сверхнизким энергопотреблением. По данным производителя, тестирование прототипа показало, что потребляемая мощность в активном режиме снизилась на 27%, в режиме ожидания — на 85% по сравнению с существующими образцами. Ожидается, что эта память найдет применение в больших интегральных схемах для смартфонов и других мобильных устройств.

Специалисты Toshiba снизили потребляемую мощность встраиваемой памяти SRAM в активном режиме на 27%, в режиме ожидания — на 85%

Снизить потребляемую мощность удалось с помощью специальных цепей, контролирующих нагрузку на линиях данных. При малой нагрузке чип остается холодным и потребление в активном режиме сопоставимо с потреблением в режиме ожидания. Когда нагрузка возрастает (данные передаются более активно), температура чипа повышается, что приводит к возрастанию токов утечки и повышению энергопотребления. Ограничивая при повышении нагрузки в активном режиме питание определенных участков схемы, можно обеспечить значительное снижение энергопотребления. Другое усовершенствование схемы позволило снизить энергопотребление в режиме ожидания.

Когда разработку можно будет встретить в коммерческих продуктах, производитель не сообщает.

Источник: Toshiba

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2013

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.