Главная » Новости » 2013 » 01 » 07 7 января 2013

Рынок энергонезависимой памяти с произвольным доступом находится на пороге взрывного роста, полагают эксперты Forward Insights

Современные технологии памяти, основанные на хранении электрического заряда и реализованные в полупроводниковых микросхемах типа SRAM, DRAM, NOR и NAND, сталкиваются с трудностями при переходе к технологическим нормами менее 20 нм. Результатом стало повышение в течение последнего десятилетия активности исследований, направленных на разработку альтернативных технологий памяти.

По мнению специалистов аналитической компании Forward Insights, изучивших тему и подготовивших подробный отчет, наиболее перспективной является технология магниторезистивной памяти — MRAM.

К ключевым преимуществам этой памяти, в которой для хранения информации используется не электрический заряд, а изменение состояния вещества, относятся энергонезависимость и высокая производительность. С этой точки зрения, MRAM объединяет достоинства оперативной памяти с произвольным доступом и флэш-памяти. От последней MRAM отличается высокой надежностью и большим сроком службы.

К сожалению, широкую коммерциализацию MRAM сдерживает более высокая стоимость, меньшая плотность по сравнению с конкурирующими технологиями, что ограничивает область применения MRAM. Кроме того, по сравнению с SRAM эта память имеет большее энергопотребление в активном режиме.

Признаком изменения ситуации аналитики считают появление первых образцов магнитной памяти с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (spin torque transfer magnetic random access memory, STT-MRAM). Открывая пусть к масштабируемости, STT-MRAM имеет потенциал более широкого распространения, охватывающего массовые потребительские приложения. Как следствие, заключают эксперты Forward Insights, рынок энергонезависимой памяти с произвольным доступом находится на пороге взрывного роста. Наблюдать рост можно будет уже в ближайшие несколько лет.

Ознакомительные образцы микросхем Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM уже поступают заказчикам

О предпосылках к росту наши постоянные читатели могут судить и самостоятельно. В 2010 году специалисты Fujitsu и университета Торонто сообщили о разработке первого в мире высоконадежного способа чтения STT-MRAM. Осенью 2011 года появилась информация, что память STT-MRAM будут совместно разрабатывать Micron и A*STAR. В прошлом месяце мы сообщали, что специалисты Toshiba создали элемент памяти STT-MRAM с самым маленьким в мире энергопотреблением, что открывает путь памяти STT-MRAM в кэш-память процессоров, где она поможет снизить энергопотребление, заменив память SRAM. А ноябрь прошлого года был отмечен сообщение о том, что компания Everspin начала выпуск первых микросхем памяти STT-MRAM для высокопроизводительных систем хранения.

Источник: Forward Insights

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2013

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.