Главная » Новости » 2012 » 12 » 11 11 декабря 2012

Специалисты Toshiba создали элемент памяти STT-MRAM с самым маленьким в мире энергопотреблением

Созданный специалистами Toshiba прототип элемент памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), по словам разработчика, имеет рекордно низкое энергопотребление. Вкупе с другими достоинствами, это позволяет рассматривать STT-MRAM в качестве потенциальной замены памяти типа SRAM в кэш-памяти процессоров.

Пока SRAM не имеет альтернатив в этой области, но по мере роста требований к производительности растет и ее энергопотребление — как в режиме ожидания, так и активном режиме.

Будучи энергонезависимой памятью, MRAM совсем не потребляет энергию в режиме ожидания. Однако до настоящего момента энергопотребление в активном режиме было выше, чем у SRAM, что было основным препятствием на пути к ее практическому применению.

STT-MRAM может однажды заменить SRAM в роли кэш-памяти процессоров

Как утверждается, специалистам Toshiba удалось уменьшить энергопотребление на 90%. Примечательно, что одновременно удалось повысить быстродействие и уменьшить размер элемента памяти.

Моделирование показало, что замена в кэш-памяти «стандартного мобильного процессора» памяти SRAM на новую память STT-MRAM приведет к снижению энергопотребления на две трети. Неудивительно, что целью разработчиков названа интеграция STT-MRAM в процессоры для смартфонов и планшетов. Когда можно ожидать появления процессоров с кэш-памятью типа STT-MRAM, источник не сообщает.

Источник: Toshiba

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2012

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.