Главная » Новости » 2012 » 09 » 10 10 сентября 2012

Норвежские ученые смогли вырастить полупроводниковые нити на подложке из графена

Специалистам норвежской компании CrayoNano удалось сделать шаг, который может открыть путь к полупроводниковым приборам нового поколения. Ученые научились выращивать на подложке из графена нити из арсенида галлия (GaAs), являющегося полупроводником.

Запатентованный гибридный материал имеет выдающиеся оптоэлектронные свойства. По словам одного из основателей CrayoNano, выступающего также в роли главного технического директора, в новом материале объединилась низкая стоимость, оптическая прозрачность и механическая гибкость.

Норвежские ученые смогли вырастить полупроводниковые нити на подложке из графена

Чтобы вырастить на графене полупроводниковые нити, исследователи использовали технологию молекулярно-лучевой эпитаксии. Особенностью этой технологии, основанной на эпитаксиальном росте в условиях сверхвысокого вакуума, является требование к подложке иметь высокочистую, гладкую на атомарном уровне поверхность. Графен удовлетворяет этому требованию, Причем его можно использован в качестве подложки не только для GaAs.

Норвежские ученые смогли вырастить полупроводниковые нити на подложке из графена

Норвежские ученые смогли вырастить полупроводниковые нити на подложке из графена

В числе первых областей применения нового материала разработчики видят солнечные батареи и светодиоды. В перспективе он дает возможность интегрировать микромашины и электронные схемы с автономным питанием не только в привычные компьютеры и мобильные устройства, но и в одежду, аксессуары, предметы обихода.

Источник: CrayoNano

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2012

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.