Главная » Новости » 2012 » 05 » 10 10 мая 2012

Buffalo использует в твердотельных накопителях магниторезистивную память

По данным источника, японская компания Buffalo собирается выпустить новую серию твердотельных накопителей, отличительной чертой которых является использование в кэш-памяти микросхем магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM). Магниторезистивная память характеризуется высоким быстродействием, что позволяет заменить ею используемую в таких случаях память типа DRAM. В отличие от последней, память MRAM является энергонезависимой и не теряет свое содержимое при отключении питания. Именно это свойство привлекло конструкторов новых SSD Buffalo. В результате накопители получились более устойчивыми к перебоям к подаче питания, чем их обычные собратья.

Buffalo использует в твердотельных накопителях магниторезистивную память

В серию войдут модели с интерфейсами SATA и IDE. Другие подробности об этих изделиях пока отсутствуют.

Источник: techPowerUp

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2012

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.