Повышение плотности хранения информации в чипах флэш-памяти уже не первый год обеспечивается переходом на все более тонкие нормы техпроцесса. Учитывая, что дальнейшее движение в этом направлении довольно скоро натолкнется на ограничение, налагаемое на физические размеры ячейки самим принципом работы флэш-памяти, все более актуальным становится применение объемной компоновки, при которой чипы размещаются друг поверх друга и заключаются в общий корпус. При таком подходе необходимо принять специальные меры, чтобы обеспечить высокую скорость передачи данных. Объединение в современных многокристальных микросхемах (multi-chip package, MCP) более четырех чипов флэш-памяти NAND приводит к снижению скорости, утверждает источник. Для устранения узкого места необходимо наличие двух или более каналов передачи данных.
Указанное ограничение смогли преодолеть специалисты компании MOSAID Technologies. Эта компания начала поставку ознакомительных образцов, как утверждается, первых в отрасли MCP с 16 кристаллами флэш-памяти NAND, подключенными к одному высокопроизводительному каналу.
В микросхеме MOSAID HLNAND (HyperLink NAND) плотностью 512 Гбит объединено 16 стандартных кристаллов по 32 Гбит и два кристалла с компонентами интерфейса HLNAND, которые формируют канал шириной один байт с пропускной способностью 333 МБ/с. Предусмотрена возможность одновременного выполнения операций чтения и записи, так что агрегированная пропускная способность в двух направлениях составляет 667 МБ/с.
Микросхема заключена в 100-выводный корпус типа BGA размерами 18 x 14 мм.
Источник: MOSAID Technologies