Главная » Новости » 2012 » 03 » 16 16 марта 2012

Члены Common Platform сделали выбор в пользу транзисторов FinFET при освоении норм 14 нм

По сообщению наших коллег, компании IBM, Samsung и GlobalFoundries, являющиеся участниками альянса Common Platform, в ходе мероприятия Common Platform Technology Forum 2012 объявили о намерении при освоении технологических норм 14 нм перейти к использованию объемных транзисторов FinFET.

Члены Common Platform сделали выбор в пользу транзисторов FinFET при освоении норм 14 нм

Эти транзисторы давно считаются перспективными с точки зрения освоения более тонких норм техпроцесса. Подробнее о FinFET и других разработках в этой области можно прочитать в этой замечательной статье.

Переход на транзисторы FinFET будет сопровождаться применением технологии полностью обедненного кремния на изоляторе (Fully Depleted Silicon-On-Insulator, FD-SOI). Опять–таки, рамки новости не дают возможности погрузиться в технические детали, но желающие сделать это самостоятельно имеют такую возможность. Коротко говоря, применение FinFET и FD-SOI позволит повысить плотность компоновки элементов на кремниевой плаcтине при одновременном уменьшении токов утечки, то есть с повышением энергетической эффективности чипов.

Важным фактором повышения степени интеграции станет применение технологии многослойной компоновки чипов.

Участники альянса Common Platform планируют приступить к выпуску продукции по 14-нанометровой технологии в 2014-2015 годах.

Источник: Bright Side Of News

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2012

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.