По сообщению наших коллег, компании IBM, Samsung и GlobalFoundries, являющиеся участниками альянса Common Platform, в ходе мероприятия Common Platform Technology Forum 2012 объявили о намерении при освоении технологических норм 14 нм перейти к использованию объемных транзисторов FinFET.
Эти транзисторы давно считаются перспективными с точки зрения освоения более тонких норм техпроцесса. Подробнее о FinFET и других разработках в этой области можно прочитать в этой замечательной статье.
Переход на транзисторы FinFET будет сопровождаться применением технологии полностью обедненного кремния на изоляторе (Fully Depleted Silicon-On-Insulator, FD-SOI). Опять–таки, рамки новости не дают возможности погрузиться в технические детали, но желающие сделать это самостоятельно имеют такую возможность. Коротко говоря, применение FinFET и FD-SOI позволит повысить плотность компоновки элементов на кремниевой плаcтине при одновременном уменьшении токов утечки, то есть с повышением энергетической эффективности чипов.
Важным фактором повышения степени интеграции станет применение технологии многослойной компоновки чипов.
Участники альянса Common Platform планируют приступить к выпуску продукции по 14-нанометровой технологии в 2014-2015 годах.
Источник: Bright Side Of News