Главная » Новости » 2012 » 03 » 05 5 марта 2012

Ферроэлектрическая память Fujitsu V работает при напряжении питания от 3,0 до 5,5 В

Компания Fujitsu Semiconductor America (FSA) расширила ассортимент энергонезависимой ферроэлектрической памяти с произвольным доступом (FRAM) серией изделий, рассчитанных на напряжение питания 3,0-5,5 В. По мнению производителя, такой широкий диапазон допустимых напряжений питания упрощает использование памяти и позволяет использовать одни и те же микросхемы в устройствах с разными напряжениями питания. Память серии V предназначена для потребительской и промышленной электроники.

В состав серии вошли микросхемы плотностью от 16 до 256 Кбит, оснащенные интерфейсами I2C и SPI. Первые две модели — MB85RC16V и MB85RC64V — уже доступны в серийных количествах. Они оснащены последовательным интерфейсом I2C, работающим на частоте 400 кГц, и имеют плотность 16 и 64 Кбит соответственно.

К достоинствам моделей серии V компания относит высокую надежность и долговечность. Память выдерживает 1012 циклов перезаписи и может хранить записанную информацию в течение 10 лет при температуре +85°C. Производитель гарантирует работоспособность микросхем в диапазоне температур от -40°С до +85°С. В середине года Fujitsu обещает выпустить третью модель — MB85RS64V, которая будет иметь плотность 64 Кбит, также оснащенную интерфейсом SPI. Модели плотностью 256 Кбит с интерфейсами I2C и SPI также должны появиться в течение года. Все микросхемы серии V выпускаются в пластиковых корпусах типа SOP с восемью выводами.

Источник: FSA

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2012

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.