Главная » Новости » 2011 » 12 » 24 24 декабря 2011

Компания Fujifilm запатентовала гибридный датчик изображения из органического материала и кремния

Компания Fujifilm запатентовала датчик изображения, в котором фотоэлектрический слой органического материала наносится поверх кремниевой схемы. Главное отличие от существующих датчиков типа CMOS и CCD как раз и заключено в наличии слоя органического материала, в котором происходит преобразование света в электроны, которые затем «считываются» кремниевой схемой, расположенной ниже.

Компания Fujifilm запатентовала гибридный датчик изображения

По словам Fujifilm, такой подход обеспечивает несколько преимуществ над традиционными технологиями.

Фоточувствительный слой по размерам равен всей площади датчика — отсутствуют потери на служебные цепи, свойственные кремниевым датчикам. Это позволяет повысить светочувствительность и устраняет потребность в микролинзах, направляющих свет на светочувствительные элементы. Отсутствует необходимость разделять светочувствительный слой на отдельные светочувствительные элементы, что может снизить затраты на производство. Спектр чувствительности органического материала устраняет потребность в инфракрасном фильтре.

В качестве же основного достоинства преподносится возможность дальнейшего повышения разрешения датчиков.

Компания Fujifilm запатентовала гибридный датчик изображения

По оценке специалистов, от применения в серийных продуктах разработку отделяет несколько лет.

Источник: Fujifilm

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.