Компания ASM International, специализирующаяся на разработке технологий для полупроводниковой отрасли, объявила об успешной демонстрации 14-нанометрового техпроцесса, построенного на использовании материала затвора с высокой диэлектрической проницаемостью.
С помощью этого техпроцесса, опробованного на исследовательской производственной линии одного из заказчиков ASM, удалось получить результат, примерно на 40% превосходящий показатель наиболее совершенного из сегодняшних техпроцессов (если сравнивать по эквивалентной толщине оксида, равной в случае нового техпроцесса 6 ангстремам).
Новый техпроцесс позволит повысить быстродействие транзисторов и уменьшить токи утечки, одновременно подтвердив на практике возможность использования при переходе к более тонким нормам диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью на основе гафния. В демонстрации была задействована опытная установка ASM Pulsar для атомно-слоевого осаждения.
Источник: ASM