Главная » Новости » 2011 » 12 » 05 5 декабря 2011

ASM продемонстрировала 14-нанометровый техпроцесс

Компания ASM International, специализирующаяся на разработке технологий для полупроводниковой отрасли, объявила об успешной демонстрации 14-нанометрового техпроцесса, построенного на использовании материала затвора с высокой диэлектрической проницаемостью.

С помощью этого техпроцесса, опробованного на исследовательской производственной линии одного из заказчиков ASM, удалось получить результат, примерно на 40% превосходящий показатель наиболее совершенного из сегодняшних техпроцессов (если сравнивать по эквивалентной толщине оксида, равной в случае нового техпроцесса 6 ангстремам).

Новый техпроцесс позволит повысить быстродействие транзисторов и уменьшить токи утечки, одновременно подтвердив на практике возможность использования при переходе к более тонким нормам диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью на основе гафния. В демонстрации была задействована опытная установка ASM Pulsar для атомно-слоевого осаждения.

Источник: ASM

  • Теги:
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.