На мероприятии International Solid-State Circuits Conference 2012 компания Samsung Electronics собирается представить 20-нанометровую микросхему памяти плотностью 8 Гбит, в которой используется технология памяти с изменением фазового состояния (Phase-change Random Access Memory, PRAM).
Об устройстве 20-нанометровой ячейки памяти с изменением фазового состояния и произвольным доступом специалисты Samsung расскажут на другом мероприятии — International Electron Devices Meeting, которое пройдет с 5 по 7 декабря в Вашингтоне.
Выпуск фазовой памяти плотностью 8 Гбит по 20-нанометровому техпроцессу является существенным прогрессом. На февральской конференции ISSCC 2011 компания представила микросхему плотностью 1 Гбит, изготовленную по нормам 58 нм. Память оснащена интерфейсом LPDDR2-N (интерфейс энергонезависимой памяти с пониженным энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи).
Память PRAM интересна высокой скоростью работы и большим сроком службы. По этим показателям она во много раз превосходит флэш-память. В настоящее время лишь Samsung и Micron Technologies вплотную подошли к серийному выпуску PRAM.
На пути к коммерческому использованию PCM стоит несколько препятствий. Среди них — сложность уменьшения размеров ячеек и неустойчивость к нагреву.
Источник: EE Times