Главная » Новости » 2011 » 11 » 30 30 ноября 2011

Samsung покажет на ISSCC 2012 20-нанометровую фазовую память плотностью 8 Гбит

На мероприятии International Solid-State Circuits Conference 2012 компания Samsung Electronics собирается представить 20-нанометровую микросхему памяти плотностью 8 Гбит, в которой используется технология памяти с изменением фазового состояния (Phase-change Random Access Memory, PRAM).

Об устройстве 20-нанометровой ячейки памяти с изменением фазового состояния и произвольным доступом специалисты Samsung расскажут на другом мероприятии — International Electron Devices Meeting, которое пройдет с 5 по 7 декабря в Вашингтоне.

Выпуск фазовой памяти плотностью 8 Гбит по 20-нанометровому техпроцессу является существенным прогрессом. На февральской конференции ISSCC 2011 компания представила микросхему плотностью 1 Гбит, изготовленную по нормам 58 нм. Память оснащена интерфейсом LPDDR2-N (интерфейс энергонезависимой памяти с пониженным энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи).

Память PRAM интересна высокой скоростью работы и большим сроком службы. По этим показателям она во много раз превосходит флэш-память. В настоящее время лишь Samsung и Micron Technologies вплотную подошли к серийному выпуску PRAM.

На пути к коммерческому использованию PCM стоит несколько препятствий. Среди них — сложность уменьшения размеров ячеек и неустойчивость к нагреву.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.