Специалистами Elpida Memory созданы микросхемы динамической памяти с произвольным доступом, предназначенные для мобильных устройств (LPDDR3), изготавливаемые по 30-нанометровой технологии и имеющие плотность 4 Гбит.
Новая память вдвое превосходит по скорости передачи данных память LPDDR2, широко распространенную сейчас в мобильных устройствах. При напряжении питания 1,2 В она поддерживает скорость передачи 1600 Мбит/с (в расчете на один вывод). Это означает, что одна микросхема LPDDR3 способна обеспечить пропускную способность 6,4 ГБ/с, а конфигурация из двух микросхем, ориентированная на мобильные устройства верхнего сегмента, демонстрирует показатель 12,8 ГБ/с.
По сравнению с памятью LPDDR2 новая память потребляет примерно на 25% меньше энергии (при равной скорости), что позволит увеличить время работы мобильных устройств от батарей.
Ознакомительные образцы Elpida обещает подготовить к концу года. Срок начала массового выпуска будет зависеть от реакции заказчиков. Ориентировочно он придется на конец будущего года.
Источник: Elpida Memory