Главная » Новости » 2011 » 10 » 10 10 октября 2011

Специалисты ITRI разработали память типа RRAM, готовую для серийного производства

Тайваньский технологический институт ITRI (Industrial Technology Research Institute) ведет разработки в области резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM). Эта память рассматривается в качестве потенциальной замены флэш-памяти. Усилия специалистов ITRI уже начали приносить плоды.

В ячейках флэш-памяти типа NAND используется технология плавающего затвора, которая начинает сталкиваться с принципиальными ограничениями, когда нормы техпроцесса становятся меньше 20 нм. Это побуждает производителей активно искать замену технологии NAND.

К достоинствам RRAM относится не только возможность изготовления по более тонким нормам. Эта память характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением.

Разработанная в ITRI память типа RRAM успешно освоена в серийном производстве с использованием 200-миллиметровых пластин и 30-нанометрового техпроцесса. Исследователи надеются на скорую коммерциализацию разработки, на первом этапе, используя техпроцессы «20-нанометрового класса» на фабриках, обрабатывающих 300-миллиметровые пластины.

Источник: DigiTimes

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.