Главная » Новости » 2011 » 10 » 06 6 октября 2011

В Японии создана энергонезависимая память, изготавливаемая по стандартному техпроцессу CMOS

Группе специалистов токийского университета удалось разработать технологию энергонезависимой памяти, рассчитанной на изготовление с применением стандартного техпроцесса CMOS, применяемого при выпуске логических микросхем.

В новой памяти в качестве «ловушки» для электрического заряда используется пленка диоксида кремния (SiO2), изолирующая затвор транзистора. Ранее уже удавалось использовать ее для записи и хранения информации. Однако процесс стирания вызывал сложности. По этой причине существовало убеждение, что по указанной технологии возможно изготовление только памяти с однократной записью.

Ученые предложили новую технологию, которую они назвали «схема стирания с помощью стока». Для стирания в ней используется ток, подаваемый на сток транзистора. Интересно, что эффект стирания был обнаружен одним из студентов по счастливой случайности. Подробности явления, лежащего в его основе, до конца еще не выяснены. Прототип, изготовленный по нормам 65 нм, выдерживает примерно 100 операций стирания, а срок хранения информации оценивается в 10 лет. Для некоторых приложений этих показателей вполне достаточно.

В Японии создана энергонезависимая память, изготавливаемая по стандартному техпроцессу CMOS

Еще одно достоинство новой памяти — маленький размер ячейки (8F2). Это делает ее подходящей для встраивания, например, в микроконтроллеры и микропроцессоры, где в ней можно было бы хранить встроенное программное обеспечение, данные конфигурацию или настройки.

Источник: Tech-On!

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.