Главная » Новости » 2011 » 08 » 30 30 августа 2011

Специалисты UMC создали встраиваемую память типа EEPROM, выдерживающую миллион циклов перезаписи

Компания United Microelectronics Corporation (UMC) объявила о достижении в области встраиваемой энергонезависимой памяти с электрическим стиранием (eEEPROM). Специалисты компании разработали память, которая работает в диапазоне напряжений от 1,8 до 5 В (напряжение цепей ввода-вывода) и рассчитана на миллион циклов стирания. Разработка, по словам производителя, стала итогом нескольких лет совершенствования технологии производства eEEPROM. Области применения памяти типа eEEPROM включают банковские карты, смарткарты, идентификационные карты и микроконтроллеры.

Поддержка напряжений в диапазоне 1,8-5 В позволяет продлить время работы от батарей мобильных систем. Дело в том, что в случае использования двух уровней (2,5 и 3,3 В или 1,8 и 3,3 В) требуется наличие дополнительных элементов и регулятора напряжения. Решение, предложенное UMC, позволяет обойтись совсем без дополнительных цепей.

Не менее важно, что новинка выдерживает не менее миллиона циклов перезаписи. Для сравнения: существующие продукты этой категории характеризуются в десять раз меньшим сроком службы.

UMC уже выпускает новую память типа eEEPROM серийно по нормам 0,35 и 0,25 мкм. Начато пилотное производство по нормам 0,18 мкм. На очереди — освоение норм 0,11 мкм, которое должно завершиться в начале будущего года.

Источник: UMC

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.