Главная » Новости » 2011 » 06 » 28 28 июня 2011

Elpida использует технологию 3D-TSV в микросхемах памяти DRAM DDR3 объемом 1 ГБ

Компания Elpida Memory начала поставки ознакомительных образцов памяти типа DDR3 SDRAM (с 32-разрядной шиной ввода-вывода), при изготовлении которой применена технология объемной компоновки с межслойными соединениями 3D-TSV.

В корпусах образцов объемом 8 Гбит (1 ГБ) собрано по четыре чипа DDR3 плотностью 2 Гбит, соединенных с общим интерфейсным чипом с помощью связей между кристаллами.

Компания Elpida разрабатывает технологию TSV, начиная с 2004 года. В 2009 году была создана, по словам производителя, первая в отрасли память TSV DRAM из восьми чипов DDR3 плотностью по 1 Гбит каждый. Суть технологии заключается в соединении чипов с помощью проводников, сформированных в отверстиях в кристалле подложки. В 2010 году применение технологии TSV позволило Elpida создать самые маленькие в отрасли чипы DDR3 плотностью 2 Гбит.

Elpida начинает использовать объемную компоновку в памяти DRAM DDR3

По оценке Elpida, применение новой памяти в ноутбуках и планшетах вместо привычных модулей SODIMM позволяет снизить потребляемую мощность на 20% (в режиме ожидания — на 50%). Место, занимаемое памятью на плате, сокращается на 70%, в том числе, и за счет отказа от разъема SODIMM. Новая память рассчитана на такое же напряжение питания 1,35 или 1,5 В, что и модули SODIMM, при котором она работает на частоте 1066 или 1333 (1,35 В) или 1600 МГц (1,5В).

Источник: Elpida

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.