Компания Crocus Technology, специализирующаяся на разработках области магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM), разработала технологию, названную Magnetic Logic Unit (MLU). По сути, это развитие технологии изменения состояния ячейки с использованием локального нагрева (thermally assisted magnetic switching, TAS), позволяющее реализовать средствами MRAM не только хранение информации, но и логическую функцию.
Используя намагниченность так называемого опорного слоя, MLU может работать в одном из трех режимов: NAND, NOR или XOR. В обычной магнитной памяти режим задан жестко при изготовлении.
По словам разработчиков, области применения новой технологии включают приложения хранения данных, средства связи, сетевую обработку, автомобильную и промышленную электронику.
В приложениях, где необходима высокая плотность, MLU позволяет создать «конфигурации, подобные NAND» с помощью магнитной памяти. Память MLU NAND в два-четыре раза превышает по плотности обычную магнитную память. В отличие от флэш-памяти, при этом обеспечивается полноценный произвольный доступ.
Память MLU XOR, которую производитель называет Match-In-Place, подходит, когда необходимо сравнение и шифрование данных. Она хорошо подойдет для смарткарт, идентификационных карт, карт SIM и устройств с поддержкой NFC, повышая устойчивость перечисленных устройств к взлому. Match-In-Place реализует функции поиска и сравнения, необходимые в роутерах. По сравнению со специализированными процессорами, изготавливаемыми по технологии CMOS, реализация с помощью MLU XOR имеет до 50 раз более высокую плотность. В ряде приложений может быть важно, что MLU сохраняет работоспособность при температуре до 200°C.
Пока неизвестно, как скоро начнется серийный выпуск продукции, в которой используется новая технология, и о каких объемах памяти идет речь. Но, по мнению разработчиков, MLU во многих случаях сможет заменить память типа SRAM, DRAM, NAND, NOR и OTP.
Источник: Crocus