О доступности инженерных образцов микросхем памяти типа RLDRAM (reduced latency DRAM) третьего поколения объявила компания Micron Technology.
Память типа RLDRAM 3 предназначена для высокопроизводительного сетевого оборудования, включая маршрутизаторы и коммутаторы. По словам производителя, она хорошо подходит для изделий с поддержкой спецификаций 40 Gigabit Ethernet (GbE) и 100 GbE.
В установившемся режиме RLDRAM 3 обеспечивает передачу данных со скоростью до 2133 Мбит/с. При этом гарантируется минимальное в отрасли значение задержки — «менее 10 нс», уверяет производитель. Память рассчитана на напряжение питания 1,2 В (цепи ввода-вывода) и 1,35 В (ядро).
Серийный выпуск новой памяти Micron рассчитывает начать во втором полугодии.
Источник: Micron