Главная » Новости » 2011 » 06 » 01 1 июня 2011

Samsung начала массовое производство 30-нанометровых регистровых модулей ОЗУ объемом 32 ГБ

Samsung объявила о начале массового производства модулей памяти DDR3 объемом 32 ГБ каждый, выполненных с соблюдением норм 30 нм и набранных микросхемами плотностью 4 Гбит. Компания утверждает, что это первые продукты на рынке с подобным сочетанием характеристик и рассчитывает на их быстрое проникновение во все целевые сегменты, включая мобильные и настольные ПК, а также серверы.

Вышеупомянутые регистровые модули способны функционировать на частотах до 1866 МГц и напряжении 1,35 В, при этом обеспечивая 18-процентное снижение энергопотребления по сравнению с предыдущим поколением, выполненном с соблюдением норм 40 нм (при частоте 1333 МГц и напряжении 1,5 В).

Samsung начала осваивать производство таких чипов в феврале, спустя год после начала выпуска 40-нанометровых микросхем стандарта DDR3 плотностью 4 Гбит. Уже через два месяца компания предложила модули емкостью 16 ГБ ряду производителей серверов. Помимо серверных регистровых моделей объемом 32 ГБ, Samsung добавила в свой ассортимент модули SO-DIMM, емкость которых достигла 8 ГБ, при напряжении 1,5 В эти новинки способны работать на частоте 2133 МГц.

Компания также собирается наращивать объемы производства 20-нанометровых чипов плотностью 4 Гбит во второй половине этого года, заполняя рынок энергоэффективных устройств. В следующем году порядка 10% от всех выпускаемых Samsung микросхем ОЗУ будут иметь такую или более высокую плотность.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.