Компания Elpida Memory, являющаяся крупнейшим японским производителем памяти типа DRAM, объявила о выпуске чипов DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит по нормам 25 нм. По словам Elpida, это первая в отрасли 25-нанометровая память такого типа.
Переход с 30-нанометрового техпроцесса на более тонкие нормы позволил уменьшить площадь кристалла в расчете на одну ячейку памяти на 30%. В свою очередь, количество чипов, получаемых из одной пластины, увеличилось на 30%.
Память, выпускаемая по нормам 25 нм, работает на скорости «более DDR3-1866» и рассчитана на напряжение 1,5 В. При напряжении питания 1,35 В она соответствует спецификации DDR3L-1600.
По оценке производителя, новая память позволит снизить энергопотребление ПК и других электронных устройств. По сравнению с 30-нанометровой памятью Elpida, она имеет на 15% меньший ток потребления в активном режиме и на 20% меньший — в режиме ожидания.
Ознакомительные образцы компания обещает начать поставлять в июле. Тогда же начнется массовый выпуск новой продукции.
К концу 2011 года производитель рассчитывает начать серийный выпуск по 25-нанометровой технологии микросхем памяти типа DDR3 SDRAM плотностью 4 Гбит. Это позволит увеличить объем выпуска в расчете на одну пластину на 44% по сравнению с 30-нанометровым техпроцессом.
Источник: Elpida Memory