Новая линейка памяти Alliance Memory SDR включает микросхемы плотностью 64, 128 и 256 Мбит, рассчитанные на частоты до 200 МГц

Для внешнего оформления выбраны корпуса типа TSOP II

Ассортимент компании Alliance Memory, специализирующейся на поставках микросхем памяти для оборудования связи, компьютеров, промышленной и бытовой электроники, пополнился линейкой высокоскоростной синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDR), выпускаемой по технологии CMOS. Список новинок включает модели плотностью 64 Мбит (AS4C4M16S), 128 Мбит (AS4C8M16S) и 256 Мбит (AS4C16M16S).

Новая линейка памяти Alliance Memory SDR включает микросхемы плотностью 64, 128 и 256 Мбит

Эти микросхемы, по словам производителя, «оптимизированы для промышленных, коммуникационных, медицинских и потребительских продуктов, требующих высокой пропускной способности памяти». В частности, как утверждается, эта память особенно хорошо подходит для высокопроизводительных компьютерных приложений. Внутренняя логическая организация всех моделей одинаковая — четыре банка 16-разрядных слов, а объем банков, в зависимости от модели, равен 1, 2 или 4 млн. Есть возможность выбора режима чтения и записи пакетами по 1, 2, 4, 8 или всей страницы целиком, с опцией прерывания. Время доступа равно 4,5-5,4 нс, а тактовые частоты лежат в диапазоне от 143 до 200 МГц. Микросхемы рассчитаны на один источник питания напряжением +3,3±0,3В. Для их внешнего оформления выбраны 54-контактные корпуса типа TSOP II.

Ознакомительные образцы уже доступны. Массовые поставки компания обещает начать 1 мая.

Источник: Alliance Memory

30 апреля 2011 в 09:00

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс