Главная » Новости » 2011 » 03 » 25 25 марта 2011

Samsung начинает серийный выпуск чипов LPDDR2 плотностью 4 Гбит «30-нанометрового класса»

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска первых в мире чипов памяти LPDDR2 DRAM плотностью 4 Гбит, изготавливаемых по нормам 30-нанометрового класса.

Эта память предназначена для мобильных устройств, включая смартфоны и планшеты. Ее пониженное энергопотребление положительно сказывается на времени автономной работы, а высокое быстродействие — на производительности систем. Скорость передачи информации составляет 1066 Мбит/с, что существенно превосходит показатель применяемой сегодня памяти MDDR, равный 333-400 Мбит/с.

В этих микросехмах Samsung используются чипы LPDDR2 DRAM плотностью 4 Гбит

О разработке чипов LPDDR2 DRAM плотностью 4 Гбит южнокорейская компания сообщила в минувшем декабре, когда были готовы их ознакомительные образцы.

Теперь микросхему объемом 1 ГБ можно получить, используя лишь два чипа, а не четыре, как это было в случае с чипами плотностью 2 Гбит. В результате уменьшается толщина корпуса (на 20%, с 1,0 до 0,8 мм) и снижается энергопотребление — на 25%.

Микросхемы объемом 1 ГБ компания начала поставлять в этом месяце, а микросхемы объемом 2 ГБ планирует начать поставлять в апреле.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.