Главная » Новости » 2011 » 02 » 21 21 февраля 2011

Samsung разрабатывает мобильную память DRAM с расширенной шиной

По сообщению компании Samsung Electronics, ее специалисты завершили разработку микросхем памяти типа DRAM плотностью 1 Гбит, предназначенной для мобильных устройств, которая оснащена «широким интерфейсом ввода-вывода» (wide I/O mobile DRAM). Память рассчитана на выпуск с применением технологии 50-нанометрового класса. Она предназначена для таких устройств, как смартфоны и планшеты.

Преимуществом расширенной шины памяти является увеличенная пропускная способность. По оценке производителя, она равна 12,8 ГБ/с, что в восемь раз превосходит возможности мобильной памяти DDR DRAM (1,6 ГБ/с). Примечательно, что в сравнении «с обычным порошком», энергопотребление снижено на 87%. По пропускной способности новая память вчетверо превосходит память LPDDR2 DRAM (примерно 3,2 ГБ/с).

Для ввода-вывода используется 512 выводов, а не 32, как ранее. Общее количество выводов, включая линии для передачи управляющих сигналов и управления питанием, примерно равно 1200.

В 2013 году южнокорейский производитель намерен освоить выпуск новой памяти плотностью 4 Гбит по нормам 20-нанометрового класса.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2011

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.