Главная » Новости » 2010 » 12 » 07 7 декабря 2010

Samsung применяет технологию TSV в микросхемах памяти Green DDR3 DRAM

Компания Samsung Electronics представила модули памяти типа RDIMM объемом 8 ГБ, в которых используются микросхемы Green DDR3 DRAM. Модули, успешно протестированные основными заказчиками Samsung, характеризуются выдающимися показателями энергопотребления.

Снизить энергопотребление на 40% по сравнению с другими модулями такого же объема позволило использование вышеупомянутых микросхем повышенной плотности. В свою очередь, секрет повышения плотности заключается в применении технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (through-silicon vias, TSV).

Повышение плотности позволит компенсировать уменьшение числа слотов для модулей памяти, которое ожидается в серверах следующего поколения. Даже с учетом сокращения числа слотов на 30%, технология TSV позволит нарастить объем памяти более чем на 50%, подсчитали в Samsung.

Суть технологии TSV заключается в использовании миниатюрных сквозных отверстий в полупроводниковых кристаллах. Будучи заполнены медью, они связывают кристаллы, направляя сигналы по кратчайшему пути. Связанные между собой кристаллы упаковываются в один корпус. По производительности многослойная конструкция сопоставима с монолитным кристаллом, а количество микросхем сокращается. Это позволяет разрешить противоречие, связанное с необходимостью увеличения объема памяти при одновременном снижении энергопотребления.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2010

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.