В 2008 была образована компания RFaxis, областью специализации которой стала разработка радиочастотных интегральных схем и антенн. Недавно мы рассказывали об одном из успехов RFaxis. Сегодня этот разработчик, не имеющий собственных производственных мощностей, объявил о выпуске первых в мире образцов однокристальных радиочастотных интегральных схем, изготовленных с применением стандартного техпроцесса CMOS. Для таких изделий компания использует обозначение RFeIC (от RF Front-end Integrated Circuits), являющееся зарегистрированной торговой маркой.
«В начале 2009 года мы потревожили полупроводниковую экосистему, когда доказали жизнеспособность нашего однокристального решения, выполненного по технологии BiCMOS и включающего усилители мощности, малошумящие предварительные усилители, коммутаторы, фильтры, детектор мощности и управляющие логические цепи, — сказал Майк Нешат (Mike Neshat), возглавляющий RFaxis. — Затем в прошлом декабре мы начали коммерческий выпуск наших чипов RFeIC, изготовленных по этой технологии, и мы потрясли полупроводниковую экосистему снова, когда представили архитектуру RFeIC, рассчитанную на чистый техпроцесс CMOS. Менее чем через год мы стоим на переднем крае революции в области радиочастотных решений, начиная поставку образцов RFeIC, изготовленных по технологии CMOS, которые успешно изготовлены на нескольких ведущих производствах. Мы ясно показали неправоту тех, кто считал невозможным разработку и выпуск чисто кремниевых однокристальных микросхем RFeIC. Наша инженерная команда мирового уровня снова показала работоспособность архитектуры RFeIC и свою способность создать коммерческие образцы RFeIC в рекордные сроки».
О значении достижения говорит такой факт: по выражению компании Berkana Wireless (в 2006 году поглощенной Qualcomm 2006), интеграция радиочастотных цепей и логики в монолитном чипе, изготовленном по технологии CMOS, является Святым Граалем, особенно для сотовых телефонов. Такая оценка становится вполне понятной, если вспомнить, что сейчас эти блоки являются раздельными, причем радиочастотная часть изготавливается из дорогостоящего арсенида галлия, который невозможно интегрировать с кремниевым кристаллом.
Источник: RFaxis