На завершающемся сегодня мероприятии VM World 2010 были впервые показаны низкопрофильные (very low profile, VLP) модули памяти объемом 16 ГБ производства Samsung Electronics.
Модули были установлены в blade-сервер IBM HS22V, построенный на процессорах Intel Xeon 5600. Максимальный объем памяти, который можно установить в сервер IBM HS22V, используя новые модули, равен 288 ГБ.
В модулях используются микросхемы памяти DDR3 плотностью 4 Гбит, изготовленные по технологии «40-нанометрового класса». Всего на печатной плате каждого модуля установлено 18 микросхем, в корпусе каждой из которых находится два кристалла. Модули рассчитаны на напряжение питания 1,35 В. По сравнению с модулями памяти DDR3, рассчитанными на напряжение питания 1,5 В новые модули обеспечивают экономию до 20% электроэнергии. По сравнению с четырьмя модулями объемом 4 ГБ применение одного модуля объемом 16 ГБ обеспечивает выигрыш на 70% по потребляемой мощности, а по сравнению с двумя модулями объемом по 8 ГБ — 40%. Это помогает заметно снизить энергопотребление сервера, а уменьшенная высота печатной платы — 18,75 мм — позволяет использовать модули даже в самых в компактных серверах.
Источник: Samsung