Перпендикулярная MRAM кое в чем сможет поспорить с флэш-памятью

1174

В магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM) для хранения информации используется намагниченность материала. Несмотря на множество достоинств, по плотности хранения эта память пока не может конкурировать с флэш-памятью, в которой для хранения информации используется электрический заряд. Впрочем, исследователям, похоже, удалось нащупать подход, который может изменить положение дел. За счет перехода к перпендикулярным магнитным доменам, возможно, получится уменьшить размеры ячейки до уровня, соответствующего более высокой плотности, чем у флэш-памяти.

В «обычной» MRAM две ферромагнитные площадки, каждая из которых обладает магнитным полем, разделены тонким слоем изолятора. Изменяя с помощью намагничивания ориентацию магнитного поля одной из площадок, можно создавать ситуации, когда направление намагниченности двух площадок совпадает или не совпадает — таким образом, сохраняется информация. Японские специалисты смогли задействовать другой механизм изменения намагниченности, который позволяет использовать более компактные перпендикулярные магнитные домены. Немаловажно, что в разработке используется обычный ферромагнитный материал.

Сформировав магнитные туннельные переходы, исследователи задействовали эффект туннельного магнитосопротивление — квантовомеханический эффект, который наблюдается при протекании тока между двумя слоями ферромагнетиков, разделенных тончайшим слоем диэлектрика. Сопротивление такой структуры зависит от взаимной ориентации полей намагничивания двух магнитных слоев. При перпендикулярной намагниченности слоев оно выше, в противном случае — ниже. Этот факт используется для хранения информации.

Секрет разработки заключается в переходной анизотропии на участке между ферромагнитной площадкой и туннельным переходом. Применение материала с переходом CoFeB-MgO позволило получить эффект гигантского магнитосопротивления — квантовомеханический эффект, сходный с описанным выше, который имеет место в тонких пленках из чередующихся ферромагнитных и немагнитных слоев. Он проявляется, как существенное уменьшение электрического сопротивления в зависимости от взаимной ориентации намагниченности соседних магнитных слоев. Для переключения ячейки из одного состояния в другое достаточно пропустить через нее ток силой 49 мкА.

Впрочем, MRAM все же не стоит рассматривать, как конкурента NAND — скорее, как энергонезависимую замену памяти типа SRAM. По крайне мере, пока.

Источник: EE Times

25 августа 2010

10:32

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Появились изображения упаковок настольных процессоров Intel Core i5 и Core i7 восьмого поколения. Core i3 пока ждать не стоит: CPU Intel Core i5 и Core i7 восьмого поколения будут оснащены GPU UHD Graphics 6305

На передней панели корпуса Gigabyte Aorus AC300W разместилось шесть разъёмов : Gigabyte представила корпус Aorus AC300W с подсветкой 3

Представлена операционная система Android 8.0 Oreo : Google представила Android Oreo32

Nikon сосредоточится на поддержке в камерах видео 8K : Другой приоритет — выпуск медицинского оборудования30

В конфигурацию ноутбука Acer Nitro 5 Spin входит процессор Intel Core восьмого поколения: Продажи новинки должны начаться в октябре, по цене $9995

Серия массивов твердотельных накопителей IntelliFlash N пополнила каталог Tegile Systems: Производитель называет IntelliFlash N первым унифицированным массивом NVMe корпоративного класса

TowerJazz и Tacoma Semiconductor Technology договорились построить фабрику в Китае: Израильская компания поделится опытом, Tacoma Semiconductor Technology возьмет на себя расходы2

Новому смартфону Apple iPhone приписывают способность распознать лицо пользователя «за миллионные доли секунды»: Кроме того, 3D-сканер будет использоваться в приложениях дополненной реальности43

DockCase — чехол и стыковочная станция для ноутбука Apple MacBook Pro: Минимальный взнос, позволяющий надеяться на получение DockCase в ноябре 2017 года, равен $796

1318

iXBT TV

  • Обзор видеоускорителя AMD Radeon RX Vega 64

  • Обзор легкой, компактной и дешевой мясорубки Kitfort KT-2101 Carnivora

  • Обзор беззеркальной фотокамеры Fujifilm X-T20

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора BenQ W11000 с эмуляцией разрешения 4К

  • AMD Ryzen Threadripper 1920Х и 1950X — тестирование 12-ядерного и 16-ядерного процессоров

  • Обзор мини-ПК ECS Liva Z на базе процессора Apollo Lake

  • Самый лучший процессор, неудачи Microsoft, гибкие наушники Samsung

  • Обзор цветного МФУ Xerox VersaLink C405 для малых и средних офисов

  • Обзор умного чайника Redmond SkyKettle RK-G200S с подсветкой и нагревом воды до нужной температуры

  • Конфигурируем мини-ПК: изучаем влияние памяти и накопителя на быстродействие системы

  • 3D-карты AMD Radeon RX Vega, цены, спецификации, смартфон Meizu Pro 7

  • Обзор лазерного цветного МФУ Canon imageRunner Advance C3520i, младшего в новой линейке

1212

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

Рекомендуем почитать