Главная » Новости » 2010 » 06 » 17 17 июня 2010

Специалисты Toshiba создали 16-нанометровый транзистор из нанопровода

Специалистам компании Toshiba удалось разработать технологию изготовления транзисторов из нанопровода — такие транзисторы считаются основными кандидатами на использование в больших интегральных схемах, рассчитанных на изготовление по нормам 16 нм и менее.

Общеизвестно, что при уменьшении размеров планарных транзисторов ток утечки межу истоком и стоком в закрытом состоянии становится недопустимо большим. Чтобы обойти эту проблему, разработчики рассматривают возможность для увеличения площади затвора за счет применения трехмерных структур — например, в транзисторах FinFET затвор «обернут» вокруг трех стенок канала.

В транзисторе из кремниевого нанопровода утечки уменьшены, поскольку тонкий канал управляется окружающим его затвором. К сожалению, паразитное сопротивление, особенно в районе боковых стенок затвора, снижает ток в открытом состоянии. По словам Toshiba, эту проблему удалось преодолеть за счет оптимизации процесса формирования затвора и существенного уменьшения толщины боковых стенок, с 30 нм до 10 нм. Низкое паразитное сопротивление стало результатом эпитаксиального наращивания стока и истока, и привело к увеличению тока в открытом состоянии на 40%. Еще на 25% увеличить ток удалось за счет изменения ориентации кристаллической решетки в нанопроводе.

Источник: Toshiba

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2010

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.