Главная » Новости » 2010 » 04 » 22 22 апреля 2010

Elpida завершила разработку чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 4 Гбит

Подтверждая предварительные сведения, ведущий японский производитель памяти типа DRAM объявил о завершении разработки чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 4 Гбит. На данный момент это значение является максимальным для продуктов указанной категории.

Память, разработанная специалистами Elpida Memory, рассчитана на выпуск по 40-нанометровой технологии. Один новый чип потребляет примерно на 30% меньше энергии, чем два 40-нанометровых чипа DDR3 плотностью 2 Гбит. Это выливается в существенное снижение энергопотребления компьютеров. Еще одним резервом снижения потребляемой мощности является возможность работы при напряжении питания 1,35 В (стандартным для памяти типа DDR3 является напряжение 1,5 В).

Производитель рассчитывает на использование чипов плотностью 4 Гбит в буферизованных модулях памяти DIMM объемом 32 ГБ (при этом 72 чипа будут упакованы по два в 36 корпусов типа DDP — Double Density Package) и модулях типа LR DIMM (Load Reduced DIMM) для серверов; небуферизованных модулях ECC DIMM объемом 8 ГБ для рабочих станций; модулях типа SO-DIMM объемом 8 ГБ для ноутбуков, игровых консолей и бытовой электроники.

Ознакомительные образцы новых продуктов начнут поступать заказчикам в текущем квартале, а массовый выпуск компания планирует начать в третьем квартале.

Источник: Elpida

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2010

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.