Компании Micron Technology и Nanya Technology представили совместно разработанные чипы памяти DDR3 плотностью 2 Гбит, изготовленные по нормам 42 нм.
Одной из особенностей новой памяти является применение проводников из меди, а не из алюминия. Микросхемы, изготовленные по 42-нанометровой технологии, рассчитаны на напряжение питания 1,35 В. Это меньше, чем напряжение 1,5 В, при котором работают микросхемы предыдущих поколений. По подсчетам разработчиков, такая разница в напряжении соответствует уменьшению энергопотребления на величину до 30% в высокопроизводительных приложениях, включая серверы, настольные ПК и ноутбуки.
Максимальная скорость передачи данных, достигаемая новыми чипами, равна 1866 Мбит/с. Используя чипы плотностью 2 Гбит, можно создавать модули памяти объемом до 16 ГБ.
Ознакомительные образцы новых чипов партнеры рассчитывают начать поставлять во втором квартале, а массовый выпуск должен быть налажен во второй половине года. Специалисты двух компаний продолжают работают над дальнейшим уменьшением технологических норм.
Источник: Micron