Компания Hynix Semiconductor с гордостью объявила о разработке микросхем памяти DRAM GDDR5 плотностью 2 Гбит, производимых по нормам технологии 40 нм. Такие микросхемы будут применяться в графических ускорителях и игровых консолях нового поколения.
При рабочем напряжении 1,35 В, микросхема потребляет на 20% меньше энергии по сравнению с аналогичными продуктами, изготавливаемыми по нормам 50 нм. Благодаря использованию 32-разрядной шины ввода-вывода и скорости передачи данных 7 Гбит/с, пропускная способность памяти составляет 28 ГБ/с.
По словам компании, массовый выпуск изделий запланирован на вторую половину 2010 года.
Источник: Hynix