Главная » Новости » 2009 » 12 » 21 21 декабря 2009

Hynix разработала первую 40-нм микросхему памяти GDDR5 плотностью 2 Гбит

Компания Hynix Semiconductor с гордостью объявила о разработке микросхем памяти DRAM GDDR5 плотностью 2 Гбит, производимых по нормам технологии 40 нм. Такие микросхемы будут применяться в графических ускорителях и игровых консолях нового поколения.

При рабочем напряжении 1,35 В, микросхема потребляет на 20% меньше энергии по сравнению с аналогичными продуктами, изготавливаемыми по нормам 50 нм. Благодаря использованию 32-разрядной шины ввода-вывода и скорости передачи данных 7 Гбит/с, пропускная способность памяти составляет 28 ГБ/с.

По словам компании, массовый выпуск изделий запланирован на вторую половину 2010 года.

Источник: Hynix

13:30 21.12.2009
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.