Главная » Новости » 2009 » 12 » 05 5 декабря 2009

Samsung будет выпускать память типа XDR DRAM плотностью 1 Гбит

Согласно заявлению компании Rambus, специализирующейся на разработках в области высокоскоростной памяти, южнокорейская компания Samsung Electronics планирует предложить потребителям микросхемы памяти типа XDR DRAM плотностью 1 Гбит. Архитектура памяти типа XDR DRAM разработана специалистами Rambus.

Выпуск упомянутых выше микросхем плотностью 1 Гбит, как утверждается, поможет расширить применение технологии XDR в игровых приложениях, компьютерах и устройствах бытовой электроники.

Первым производителем, выпустившим микросхемы памяти XDR DRAM плотностью 1 Гбит, оснащенные 32-битным интерфейсом, стала в январе текущего года японская Elpida Memory.

Архитектура памяти XDR обеспечивает более высокую производительность, чем производительность, характерная для памяти DDR2 и DDR3, широко используемой в современных ПК.

Источник: Rambus

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.