Цены на флэш-память типа MLC NAND существенно снизятся в будущем году, утверждает источник. Причиной станет переход от распространенной сейчас 2-битной памяти к памяти, способной хранить в каждой ячейке по три бита информации. Предполагается, что в 2010 году доля 3-битной памяти составит 70-80% от общего объема поставок флэш-памяти типа MLC NAND.
О начале серийного выпуска 3-битной флэш-памяти типа MLC NAND по нормам «30-нм класса» на днях объявила компания Samsung Electronics. Говоря более точно, для выпуска этих микросхем Samsung применяет 32-нанометровый техпроцесс. Более привычная 2-битная память производится на фабриках южнокорейского производителя по нормам 35 нм. Переход к 3-битной флэш-памяти типа MLC NAND позволяет повысить плотность хранения на 50%.
Не отстает от своего основного конкурента компания Toshiba. Сейчас она осваивает в серийном производстве с использованием 32-нанометровой технологии выпуск 3-битных чипов плотностью 32 Гбит. Кроме того, японская компания намерена предложить заказчикам 4-битные чипы, изготавливаемые по нормам 43 нм. Сотрудничающая с Toshiba компания SanDisk уже начала поставки карт памяти, в которых используется 4-битная флэш-память типа MLC NAND.
Ожидается, что до конца текущего года о начале массового выпуска 3-битной флэш-памяти типа MLC NAND по нормам 34 нм объявят компании Intel и Micron Technology. Во всяком случае, сделанный летом предварительный анонс предусматривал, что серийный выпуск начнется в четвертом квартале 2009 года.
Источник: DigiTimes