Главная » Новости » 2009 » 12 » 03 3 декабря 2009

В 2010 году произойдет переход на 3-битную флэш-память типа MLC NAND

Цены на флэш-память типа MLC NAND существенно снизятся в будущем году, утверждает источник. Причиной станет переход от распространенной сейчас 2-битной памяти к памяти, способной хранить в каждой ячейке по три бита информации. Предполагается, что в 2010 году доля 3-битной памяти составит 70-80% от общего объема поставок флэш-памяти типа MLC NAND.

О начале серийного выпуска 3-битной флэш-памяти типа MLC NAND по нормам «30-нм класса» на днях объявила компания Samsung Electronics. Говоря более точно, для выпуска этих микросхем Samsung применяет 32-нанометровый техпроцесс. Более привычная 2-битная память производится на фабриках южнокорейского производителя по нормам 35 нм. Переход к 3-битной флэш-памяти типа MLC NAND позволяет повысить плотность хранения на 50%.

Не отстает от своего основного конкурента компания Toshiba. Сейчас она осваивает в серийном производстве с использованием 32-нанометровой технологии выпуск 3-битных чипов плотностью 32 Гбит. Кроме того, японская компания намерена предложить заказчикам 4-битные чипы, изготавливаемые по нормам 43 нм. Сотрудничающая с Toshiba компания SanDisk уже начала поставки карт памяти, в которых используется 4-битная флэш-память типа MLC NAND.

Ожидается, что до конца текущего года о начале массового выпуска 3-битной флэш-памяти типа MLC NAND по нормам 34 нм объявят компании Intel и Micron Technology. Во всяком случае, сделанный летом предварительный анонс предусматривал, что серийный выпуск начнется в четвертом квартале 2009 года.

Источник: DigiTimes

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.